无压烧结石膏

反应烧结碳化硅与无压烧结碳化硅河南优之源磨料

1 天前 — 这两种工艺的主要区别如下: 起始材料: 反应烧结: 起始材料通常是硅的混合物 (和) 和碳 (C) 粉末, 在烧结过程中发生反应形成 SiC 无压烧结: 起始材料是预合成的 SiC 粉末过程: 反应烧结: 在烧结过程中, Si 和 C 粉末解热作用生石膏对正常体温无降温作用, 而对人工发热动物具有一定的解热作用, 对人工发热家兔有明显的退热作用, 其退热作用可能与其主要成分钙的作用无关。生石膏煎剂 15g/kg 灌胃对注射伤寒五联菌苗所致的发热家兔无石膏（矿物）百度百科

碳化硅陶瓷的4种烧结工艺你不可不知知乎

2019年5月11日 — 无压烧结被认为是最有希望的SiC烧结烧结方法。根据不同的烧结机理，无压烧结可分为固相烧结和液相烧结。通过在超细βSiC粉末中同时添加适量的B和C(氧含无压烧结碳化硅是一种在烧结过程中不施加外部压力而生产碳化硅陶瓷的方法。这种技术利用高纯度、超细碳化硅粉末，辅以少量烧结助剂，在惰性气体或真空环境中以 1950°C 什么是无压烧结碳化硅？ Kintek Solution

无压烧结芯片粘接剂 Henkel Adhesives

LOCTITE® ABLESTIK ABP 8068T产品系列是高热、无压烧结芯片粘接剂，可提供简化的加工过程，一流的导热和导电性能，以及当今高功率密度器件所需的高可靠性2021年12月31日 — 无压烧结是通过粉末颗粒间的黏结完成致密化过程，其驱动力主要是孔隙表面自由能的降低。因此，致密化过程也就是粉体压制件（生坯）中孔表面积的减小过 [科普中国]无压烧结科普中国网

用于大面积芯片互连的纳米银膏无压烧结行为 HWI

摘要: 文中采用化学还原法制备出一种可以用于低温烧结的纳米银膏，通过对低温无压烧结纳米银焊点的组织结构、力学性能和失效模式进行了分析，系统地讨论了无压烧结焊点中无压烧结碳化硅研究进展碳化硅具有良好的高温性能以及化学稳定性,已广泛应用于许多领域综述了无压烧结碳化硅烧结助剂体系的研究进展,综述了碳化硅原料种类,烧结助剂种类及无压烧结碳化硅研究进展百度学术

用于大面积芯片互连的纳米银膏无压烧结行为焊接学报

文中采用化学还原法制备出一种可以用于低温烧结的纳米银膏，通过对低温无压烧结纳米银焊点的组织结构、力学性能和失效模式进行了分析，系统地讨论了无压烧结焊点中烧结银 2022年5月21日 — 铜颗粒烧结技术中，材料的选择对烧结过程与效果有着至关重要的影响例如，不同溶剂的选择会直接影响烧结材料的涂覆能力和有机物挥发特性，从而影响其烧结层的致密度；不同表面配体的选择会影响颗粒的氧化能力等因此，围绕铜颗粒铜颗粒低温烧结技术的研究进展 HWI

一种无压烧结制备高致密度Ti3AlC2块体的方法与流

2017年12月6日 — 本发明公开了一种无压烧结制备高致密度Ti3AlC2块体的方法，该块体由Ti3AlC2注浆成型制成素坯后无压烧结制成在素坯成型过程中无需加压，免去了昂贵的金属模具费用和加压设备费用，只需廉价的硅 2024年8月30日 — 金德新材料生产的无压烧结碳化硅陶瓷制品是以高纯、超细碳化硅微粉为原料，在2100 ℃以上的真空烧结炉烧结而成，所得制品几乎完全致密，是具有优良力学性能的陶瓷材料。金德碳化硅陶瓷特点金德新材料充分运用了碳化硅超细微粉的优良特性山东金德新材料有限公司

添加 La O 快速无压烧结制备高红外透过率 AlON 陶瓷

2024年2月22日 — 过无压烧结在较短保温时间内(25 h)获得具有高透光性的AlON陶瓷[29]。可见，拓展烧结助剂研究应是寻求高透光性AlON陶瓷快速无压烧结制备的一条可行途径，如果利用烧结助剂能够采用级配无特殊要求的粗颗粒AlON粉体实现高透光性AlON陶11 小时之前 — 压电陶瓷牙科胚体医疗柱塞产品中心按行业分类按材料分类新闻中心公司新闻行业资讯联系我们产品目录 catalogue 首页 >> 无压烧结碳化硅陶瓷定制导热陶瓷碳化硅陶瓷异形件机械设备配件无压烧结碳化硅陶瓷定制导热陶瓷碳化硅陶瓷异形件机械

真空无压烧结百度文库

高质量：真空无压烧结可以在高温下进行，使得陶瓷材料能够获得更高的密度和更加均匀的结构，从而提高材料的强度和硬度。2 高效率：真空无压烧结在短时间内就可以完成整个烧结过程，节省了时间和能源，提高了生产效率。32024年7月13日 — 银及其合金在电子、电力、航空航天等众多领域具有广泛应用。为了提高银材料的物理和机械性能，常采用烧结工艺进行材料制备。烧结工艺根据施加压力的不同，可分为无压烧结和有压烧结两种。本文旨在详细探讨无压烧结银与有压烧结银工艺流程的区别，并分析各自的特点和适用场景。无压烧结银VS有压烧结银：谁更胜一筹？电子发烧友网

反应烧结碳化硅与无压烧结碳化硅河南优之源磨料

1 天前 — 无压烧结: 这种方法通常需要更高的烧结温度和更长的停留时间才能实现高密度, 这可能导致能源消耗和生产成本增加反应烧结和常压烧结均广泛应用于SiC陶瓷的生产中, 取决于所需的属性, 成本考虑, 以及具体的应用要求2 天之前 — 如何降低纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前纳米银研究的重要 [] 跳至内容周五 9月 6th, 2024 艾邦半导体网半导体产业资源汇总首页展会行业动态最新项目先进封装 SIP封装封测无压烧结银和有压烧结银工艺流程区别艾邦半导体网

无压烧结碳化硅材料江苏三责新材料科技股份有限公司 Sanzer

CORESIC® SP碳化硅是采用超细碳化硅微粉喷雾造粒，等静压、干压方法成型，经无压烧结而成的自结合细晶阿法型碳化硅，其密度大于理论密度的98%。关键优势高强度、高致密度、硬度接近金刚石、耐磨损；2015年4月20日 — 无压烧结制备氮化硼复合陶瓷的研究进展／张天文等141无压烧结制备氮化硼复合陶瓷的研究进展张天文，张宁，刘欢，阚洪敏，王晓阳，龙海波沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室，沈阳摘要六方氮化硼Hexagonalboronnitride，hBN是一种优良的高性能结构陶瓷，在现代材料科学中显示出无压烧结制备氮化硼复合陶瓷的研究进展,无压烧结制备氮化硼

环境影响评价报告公示高性能无压烧结碳化硅陶瓷环评报告

2022年5月20日 — 项目名称：高性能无压烧结碳化硅陶瓷建设单位：潍坊六合新材料有限公司编制日期：2017年10月国家环境保护部制《建设项目环境影响报告表》编制说明《建设项目环境影响报告表》由具有从事环境影响评价工作资质的单位编制。2022年3月30日 — 无压烧结银和有压烧结银工艺流程区别如何降低纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前纳米银研究的重要内容。烧结银的烧结工艺流程就显得尤无压烧结银和有压烧结银工艺流程区别知乎专栏

无压烧结SiC凝胶注模成型工艺研究百度文库

无压烧结SiC凝胶注模成型工艺研究研究了固相烧结碳化硅的素坯凝胶注模成型工艺。对浆料的分散条件进行了探讨,并对单体的加入量和成型后的素坯的显微结构进行观察分析。结果表明：用1%氢氧化四甲基铵作为分散剂, 2018年5月10日 — 2）、注浆成型法：注浆成型是氧化铝陶瓷使用最早的成型方法。由于采用石膏烧成使用的加热装置最广泛使用电炉。除了常压烧结即无压烧结外，还有热压烧结及热等静压烧结等。连续热压烧结虽然提高产量，但设备和模具费用太高，此外对氧化铝陶瓷材料制作成型烧结流程的简析

无压烧结芯片粘接剂 Henkel Adhesives

和纯烧结浆料的加工复杂性。LOCTITE® ABLESTIK ABP 8068T产品系列是高热、无压烧结芯片粘接剂，可提供简化的加工过程，一流的导热和导电性能，以及当今高功率密度器件所需的高可靠性无压烧结芯片粘接剂的应用消费者的2023年12月27日 — 热压烧结炉的工作原理是利用真空环境下的高温和高压，将陶瓷粉末加热到一定温度，使其熔化并在高压的作用下融合成为固体材料。热压烧结炉主要由炉体、加热器、压力系统和真空系统等组成。当陶瓷粉末进入烧结炉后，先经过真空系统的一文认识下先进陶瓷各类烧结炉的工作原理和性能特点

碳化硅陶瓷反应烧结和无压烧结的区别性能尺寸密度

2024年3月9日 — SiC陶瓷的无压烧结、热压烧结和反应烧结具有较好的耐酸、耐碱性能，但反应烧结SiC陶瓷抗HF等超强酸腐蚀性能较差。当温度低于900℃时，几乎所有SiC陶瓷的抗弯强度都比高温烧结陶瓷大幅度提高，反应烧结SiC陶瓷的抗弯强度在超过1400℃时急剧下降。摘要：六方氮化硼(hBN)陶瓷是一种众所周知的先进陶瓷材料,其具有许多优异的性能,如耐高温性能好,抗热震性好,较高的热导率以及优异的电绝缘性能和介电性能等,因此有着良好的应用前景采用无压烧结工艺可制备出复杂形状的hBN陶瓷,并且还能降低hBN陶瓷的生产成本,有利于其实现工业化生产本文无压烧结制备高纯六方氮化硼陶瓷及其性能研究百度学术

无压烧结碳化硅研究进展百度学术

摘要：碳化硅具有良好的高温性能以及化学稳定性,已广泛应用于许多领域综述了无压烧结碳化硅烧结助剂体系的研究进展,综述了碳化硅原料种类,烧结助剂种类及用量,成形工艺,烧结工艺对无压烧结碳化硅性能的影响2022年1月5日 — 烧结过程可分为两类：无压烧结（无外压烧结）和加压烧结（有外压烧结）。同时对松散粉末或粉末压坯施加高压和外压，称为压力烧结。热压烧结（HPS）是指在一定的外力（根据模具材料的强度，一般粉体材料烧结技术交流知乎

一种无压烧结制备高致密度Ti3AlC2块体的方法与流程 X技术网

2017年12月6日 — 本发明公开了一种无压烧结制备高致密度Ti3AlC2块体的方法，该块体由Ti3AlC2注浆成型制成素坯后无压烧结制成在素坯成型过程中无需加压，免去了昂贵的金属模具费用和加压设备费用，只需廉价的硅胶石膏模具；(2)在成品烧结过程中无 2017年12月11日 — 03 mm的SiC 坯体薄膜，通过叠加不同层数的坯体来控制产品的厚度。在2180 C 氩气保护下，无压烧结得到了多孔碳化硅陶瓷。该多层SiC 陶瓷在1600 C 氧化处理100 h 后，抗压强度和抗弯强度依然保持不变，表明该工艺得到的多孔SiC 陶瓷具有较好的高温多孔 SiC 陶瓷制备工艺研究进展

TPAK SiC 优选解决方案：有压烧结银+铜夹Clip无压烧结银

2024年4月25日 — 总的来说，善仁新材推出的车规级SIC Tpak器件材料解决方案：采用有压烧结银AS9386和铜夹Clip无压烧结银技术实现了高可靠性、低热阻、低杂散电感器件设计。银烧结技术使用银浆替代传统焊料，降低模块整体热阻，提高芯片和AMB互连的可靠性 2023年10月30日 — 促进烧结致密化以及多相复合烧结等方式是提高无压烧结碳化硅陶瓷硬度和断裂韧性的关键。本文针对无压烧结碳化硅防弹陶瓷材料的烧结助剂、增韧方式、陶瓷装甲的复合形式等方面,总结了近年来无压烧结碳化硅防弹陶瓷材料的研究进展。无压烧结碳化硅防弹陶瓷材料研究进展 jtxb

TiB2—Fe材料的无压烧结百度学术

金属陶瓷无压烧结年份： 1992 收藏引用批量引用报错分享全部来源免费下载求助全文国家科技图书文献中心 (权威机构) 维普期刊专业版维普网掌桥科研维普网查看更多钛学术钛学术 (全网免费下载) 钛学术 (全网免费下载) 通过文献互助 2023年10月7日 — 无压烧结碳化硅适用于对性能要求不高，但对成本敏感的应用场合；而反应烧结碳化硅则适用于对性能要求高，对成本不敏感的应用场合。因此，在选择碳化硅的制备方法时，需要根据具体的应用需求来决定。无压烧结碳化硅与反应烧结碳化硅：各自的使用场景

碳化硅陶瓷的4种烧结工艺你不可不知知乎

2019年5月11日 — 无压烧结无压烧结被认为是最有希望的SiC烧结烧结方法。根据不同的烧结机理，无压烧结可分为固相烧结和液相烧结。通过在超细βSiC粉末中同时添加适量的B和C(氧含量小于2%)，将S Proehazka在2020℃下烧结至密度高于98%的SiC烧结体。 AMulla等人 2023年7月18日 — 4、无压烧结炉采用先进的隔热结构和材料，炉胆隔热性能好,蓄热少，比传统设计节能25%以上。 5、无压烧结炉采用触摸屏操作，PLC集中控制，操作简单，可靠性高。 6 、无压烧结炉具有超温超压等故障报警，机械式自动压力保护，动作互锁等功能，独家无压烧结炉远航工业炉

150度无压烧结银用于功率器件，提升效率降低成本ufuture

11 小时之前 — 150度无压烧结银用于功率器件，提升效率降低成本全球烧结银的领导者善仁新材不断超越自己，革新自己，最近善仁新材宣布了革命性的150度无压低温银烧结技术的开发成功。 AlwayStone AS9373是一款使用了善仁银烧结技术的无压纳米银，它是一种 2018年10月23日 — 电阻率随烧结温度的升高而降低，归因于SiC晶粒中晶粒长大引起的N掺杂，这是由于载流子密度提高所支持的。在2050°C烧结的SiC陶瓷的电导率为〜53Ω 1 cm 1在室温下。该陶瓷在无压液相烧结SiC陶瓷中实现了最高的电导率。无压烧结处理的导电SiC陶瓷,International Journal of Applied

无压纳米银膏苏州芯兴材料科技有限公司

无压纳米银膏应用了我公司独特的纳米银粒子合成技术，实现了烧结前高固含量，烧结后无有机物残留，并具有低温烧结(200℃）、高温服役（600℃）的特点；封装过程是无需施加压力，即可获得超高的连接强度，广泛应用于新能源汽车电源模块，光电器件以及其它需要高导热、高导电的领域。2024年1月30日 — 为了研究无压烧结和气压烧结对氮化硅陶瓷力学性能的影响，分别从两种烧结方式制备的氮化硅陶瓷试样中随机挑选 5个样品(编号为1～5)，进行密度、硬度及弯曲强度的性能测试，从整体的数据图变化及通过计算得出无压烧结制备的氮化硅陶瓷密度、硬度及无压烧结和气压烧结对氮化硅陶瓷性能的影响技术科普

碳化硅技术陶瓷无压烧结工艺研究doc 42页原创力文档

2016年5月14日 — 无压烧结具有操作简单、成本低、可制备形状复杂和大尺寸的碳化硅部件，而且相 ③石膏模继续吸收水分，雏坯开始收缩，表面的水分开始蒸发，待雏坯干燥形成具有一定强度的生坯后，脱模即完成注浆成型。2022年12月9日 — 图6 振荡压力耦合装置(a) 和原理示意图(b) OPS 技术强化陶瓷致密化的机理研究表明：首先，烧结过程中施加的连续振荡压力通过颗粒重排和消除颗粒团聚，缩短了扩散距离; 其次，在烧结中后期，振荡压力为粉体烧结提供了更大的烧结驱动力，有利于加速粘性流动和扩散蠕变，激发烧结体内的晶粒先进陶瓷新型快速烧结技术总结知乎

无压烧结碳化硼的研究进展百度学术

摘要：碳化硼陶瓷具有高硬度、高熔点和低密度的特点,是优异的结构陶瓷,在民用、宇航和军事等领域都得到了重要应用综述了无压烧结碳化硼陶瓷的国内外研究进展,阐述了不同的烧结助剂、烧结温度和颗粒尺寸等因素对碳化硼陶瓷性能的影响2022年3月18日 — 二、低温无压烧结纳米银膏烧结技术通过高温使材料表面原子互相扩散，从而形成致密晶体的过程，是20世纪90年代初Schwarzbauer等人基于烧结理论发明的一种连接方法，被称之为低温烧结技术（LTJT）。通常通过减小烧结颗粒的尺寸，可降低烧结温度。第三代半导体低温无压烧结纳米银膏技术汇总材料研究进展

纳米银双面烧结SiC 半桥模块封装技术*

2023年8月22日 — 无压烧结纳米银烧结焊膏。首先，在氮化铝DBC基板的上表面丝网印刷一层纳米银焊膏，在空气中预烘烤干燥，去除多余的有机溶剂。然后，使用自动吸取设备将SiC芯片置放于纳米银胶上，并使用烧结压机进行有压烧结；在SiC芯片上方，用点胶机将纳 2024年8月28日 — 的关键一环。无压烧结碳化硅陶瓷由于制备工艺简单,具有低密度、高硬度、高强度等特性, 被广泛应用于防弹装甲领域,其硬度和断裂韧性的高低直接决定防弹性能的优劣。促进烧结致密化以及多相复合烧结等方式是提高无压烧结碳化硅陶瓷硬度无压烧结碳化硅防弹陶瓷材料研究进展

磷石膏烧结砖的制备方法pdf

2002年6月18日 — 磷石膏烧结砖的制备方法技术领域本发明所要保护的技术方案属于利用磷石膏为原料制备烧结砖这一技术领域占总数60％，粘土占35％，粉煤灰占5％，焙烧温度为800℃，焙烧时间为40小时的条件下制得烧结砖的抗压强度；与实施例6比较的现有 2022年5月21日 — 铜颗粒烧结技术中，材料的选择对烧结过程与效果有着至关重要的影响例如，不同溶剂的选择会直接影响烧结材料的涂覆能力和有机物挥发特性，从而影响其烧结层的致密度；不同表面配体的选择会影响颗粒的氧化能力等因此，围绕铜颗粒铜颗粒低温烧结技术的研究进展 HWI

一种无压烧结制备高致密度Ti3AlC2块体的方法与流

2017年12月6日 — 本发明公开了一种无压烧结制备高致密度Ti3AlC2块体的方法，该块体由Ti3AlC2注浆成型制成素坯后无压烧结制成在素坯成型过程中无需加压，免去了昂贵的金属模具费用和加压设备费用，只需廉价的硅 2024年8月30日 — 金德新材料生产的无压烧结碳化硅陶瓷制品是以高纯、超细碳化硅微粉为原料，在2100 ℃以上的真空烧结炉烧结而成，所得制品几乎完全致密，是具有优良力学性能的陶瓷材料。金德碳化硅陶瓷特点金德新材料充分运用了碳化硅超细微粉的优良特性山东金德新材料有限公司

添加 La O 快速无压烧结制备高红外透过率 AlON 陶瓷

2024年2月22日 — 过无压烧结在较短保温时间内(25 h)获得具有高透光性的AlON陶瓷[29]。可见，拓展烧结助剂研究应是寻求高透光性AlON陶瓷快速无压烧结制备的一条可行途径，如果利用烧结助剂能够采用级配无特殊要求的粗颗粒AlON粉体实现高透光性AlON陶11 小时之前 — 压电陶瓷牙科胚体医疗柱塞产品中心按行业分类按材料分类新闻中心公司新闻行业资讯联系我们产品目录 catalogue 首页 >> 无压烧结碳化硅陶瓷定制导热陶瓷碳化硅陶瓷异形件机械设备配件无压烧结碳化硅陶瓷定制导热陶瓷碳化硅陶瓷异形件机械

真空无压烧结百度文库

高质量：真空无压烧结可以在高温下进行，使得陶瓷材料能够获得更高的密度和更加均匀的结构，从而提高材料的强度和硬度。2 高效率：真空无压烧结在短时间内就可以完成整个烧结过程，节省了时间和能源，提高了生产效率。32024年7月13日 — 银及其合金在电子、电力、航空航天等众多领域具有广泛应用。为了提高银材料的物理和机械性能，常采用烧结工艺进行材料制备。烧结工艺根据施加压力的不同，可分为无压烧结和有压烧结两种。本文旨在详细探讨无压烧结银与有压烧结银工艺流程的区别，并分析各自的特点和适用场景。无压烧结银VS有压烧结银：谁更胜一筹？电子发烧友网

反应烧结碳化硅与无压烧结碳化硅河南优之源磨料

1 天前 — 无压烧结: 这种方法通常需要更高的烧结温度和更长的停留时间才能实现高密度, 这可能导致能源消耗和生产成本增加反应烧结和常压烧结均广泛应用于SiC陶瓷的生产中, 取决于所需的属性, 成本考虑, 以及具体的应用要求2 天之前 — 如何降低纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前纳米银研究的重要 [] 跳至内容周五 9月 6th, 2024 艾邦半导体网半导体产业资源汇总首页展会行业动态最新项目先进封装 SIP封装封测无压烧结银和有压烧结银工艺流程区别艾邦半导体网

无压烧结碳化硅材料江苏三责新材料科技股份有限公司 Sanzer

CORESIC® SP碳化硅是采用超细碳化硅微粉喷雾造粒，等静压、干压方法成型，经无压烧结而成的自结合细晶阿法型碳化硅，其密度大于理论密度的98%。关键优势高强度、高致密度、硬度接近金刚石、耐磨损；

无压烧结石膏

反应烧结碳化硅与 无压烧结碳化硅 河南优之源磨料

碳化硅陶瓷的4种烧结工艺 你不可不知 知乎

无压烧结芯片粘接剂 Henkel Adhesives

用于大面积芯片互连的纳米银膏无压烧结行为 HWI

用于大面积芯片互连的纳米银膏无压烧结行为 焊接学报

一种无压烧结制备高致密度Ti3AlC2块体的方法与流

添加 La O 快速无压烧结制备高红外透过率 AlON 陶瓷

真空无压烧结 百度文库

反应烧结碳化硅与 无压烧结碳化硅 河南优之源磨料

无压烧结碳化硅材料江苏三责新材料科技股份有限公司 Sanzer

环境影响评价报告公示高性能无压烧结碳化硅陶瓷环评报告

无压烧结SiC凝胶注模成型工艺研究 百度文库

无压烧结芯片粘接剂 Henkel Adhesives

碳化硅陶瓷反应烧结和无压烧结的区别性能尺寸密度

无压烧结碳化硅研究进展 百度学术

一种无压烧结制备高致密度Ti3AlC2块体的方法与流程 X技术网

TPAK SiC 优选解决方案：有压烧结银+铜夹Clip无压烧结银

TiB2—Fe材料的无压烧结 百度学术

碳化硅陶瓷的4种烧结工艺 你不可不知 知乎

150度无压烧结银用于功率器件，提升效率降低成本ufuture

无压纳米银膏苏州芯兴材料科技有限公司

碳化硅技术陶瓷无压烧结工艺研究doc 42页 原创力文档

无压烧结碳化硼的研究进展 百度学术

纳米银双面烧结SiC 半桥模块封装技术*

磷石膏烧结砖的制备方法pdf

一种无压烧结制备高致密度Ti3AlC2块体的方法与流

添加 La O 快速无压烧结制备高红外透过率 AlON 陶瓷

真空无压烧结 百度文库

反应烧结碳化硅与 无压烧结碳化硅 河南优之源磨料

无压烧结碳化硅材料江苏三责新材料科技股份有限公司 Sanzer

反应烧结碳化硅与无压烧结碳化硅河南优之源磨料

碳化硅陶瓷的4种烧结工艺你不可不知知乎

用于大面积芯片互连的纳米银膏无压烧结行为焊接学报

真空无压烧结百度文库

反应烧结碳化硅与无压烧结碳化硅河南优之源磨料

无压烧结SiC凝胶注模成型工艺研究百度文库

无压烧结碳化硅研究进展百度学术

TiB2—Fe材料的无压烧结百度学术

碳化硅陶瓷的4种烧结工艺你不可不知知乎

碳化硅技术陶瓷无压烧结工艺研究doc 42页原创力文档

无压烧结碳化硼的研究进展百度学术

真空无压烧结百度文库

反应烧结碳化硅与无压烧结碳化硅河南优之源磨料